IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成,如圖1所示。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優點。
IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統,中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
掃一掃
關注微信公眾號